[顶] 碳化硅抛光液的开发和应用
我们团队开发了系列碳化硅晶圆（SiC Wafer）抛光液，主要包括：SC- A1901，SC-A1906，SC-AT2000，SC-A2002，SC-AT2012，SC-A1905，SC-S1903等。
抛光液时间：2021-06-04点击：1743
基于新型抛光液研究工艺参数对片内非均匀性的影响
基于正交实验研究了抛光压力、相对转速、抛光液体积流量和活性剂体积分数四个因素对抛光速率一致性的影响,采用方差分析确定各因素对抛光速率一致性的显著影响。
抛光液时间：2021-07-18点击：1171
基于新型抛光液研究工艺参数对片内非均匀性的影响之结果与讨论
低抛光压力、高相对转速、高抛光液体积流量以及高活性剂体积分数可获得低WIWNU,即高去除速率一致性。
抛光液时间：2021-07-15点击：1664
基于新型抛光液研究工艺参数对片内非均匀性的影响之引言和实验
抛光速率一致性主要受抛光液组分、抛光垫、磨料粒径及抛光工艺等因素影响,通过调节抛光液组分浓度和磨料粒径可控制抛光速率一致性。
抛光液时间：2021-07-14点击：1228
降低抛光液表面张力, 增大抛光液对晶圆表面的润湿性
抛光液润湿性与其所加工的基底所带电荷的正负有极大的关系，必须根据待抛材料表面电荷种类选用表面活性剂，才能达到降低抛光液表面张力的目的。
抛光液时间：2021-06-30点击：919
改变磨粒的表面电荷, 提高磨粒分散性
cmp抛光过程中大尺寸磨粒磨削晶圆会导致压入深度过大而造成表面划痕缺陷, 而抛光液中使用的磨粒粒径通常会控制在0.5 μm 以下, 通常不会对待抛晶圆的表面平坦化产生不利的影响。
抛光液时间：2021-06-29点击：1059
表面活性剂对CMP化学机械抛光的影响
表面活性剂常被添加到cmp抛光液中, 用以改善磨粒的分散性能、增大抛光液对待抛晶圆表面的润湿性、减少抛光液对晶圆表面的污染以及侵蚀.
抛光液时间：2021-06-29点击：833
绿色环保CMP化学机械抛光中的配位螯合
采用CMP化学机械抛光技术对含有金属的先进功能材料进行原子量级表面加工时，如果不对其进行及时处理，排放至外界环境中，会对人体和生态造成不可挽回的损失。
抛光液时间：2021-06-28点击：943
CMP 加工中电子能级、杂化成键、吸附方式、沉积路径等缓蚀机理的研究
腐蚀抑制剂的种类和含量对异相复合材料CMP化学机械抛光原子量级表面实现有重要的影响, 尤其是集成电路铜互连线的精密表面加工。
抛光液时间：2021-06-27点击：592
抛光液的缓蚀性能对CMP性能的影响
CMP化学机械抛光工艺中MRR 由化学试剂的腐蚀MRRC 和磨粒的磨削MRRM 两部分组成, 腐蚀抑制剂的添加量越大，则其对氧化层形成的抑制效果越强。
抛光液时间：2021-06-26点击：983
缓蚀在集成电路异相复合材料的同步CMP化学机械抛光中的应用
CMP 化学机械加工主要是针对大尺寸凹凸不平结构表面的平坦化, 化学腐蚀和刻蚀是通过化学试剂的溶液接触实现。
抛光液时间：2021-06-24点击：772
绿色环保化学机械抛光液之电位调节、酸碱刻蚀以及配位螯合
有机酸和有机碱作为绿色环保的CMP化学机械抛光液添加剂, 可以取得一举两得的效果, 具有非常广阔的应用前景.
抛光液时间：2021-06-23点击：1066