导读： 化学机械抛光(Chemical mechanical polishing，简称CMP)，又称化学机械平坦化(Chemical mechanical planarization)，是LED行业和集成电路半导体行业表面平坦化的主要技术。CMP顾名思义，既有化学的作用又有物理的作用，化学与物理相结合，实现超精度表面抛光，满足微纳米极小尺度下的全局平坦化要求。在抛光过程中，抛光液的化学组分腐蚀被抛光片表面，这些被腐蚀的界面在抛光液的纳米磨料微球颗粒的摩擦作用下完成微量去除。影响CMP工艺成败的最关键因素是CMP抛光液的制备，抛光液的性能直接影响抛光后工件表面的质量。CMP抛光液也称为研磨液，一般由去离子水、磨料（纳米硅溶胶或者氧化铝等）、PH值调节剂、表面活性剂、稳定剂、螯合剂、氧化剂以及分散剂等添加剂组成。
绿色环保化学机械抛光液之原材料结构特征和机械性能变化
增强氧化作用辅助CMP 抛光方法, 超硬材料SiC 基底的抛光效率得到了极大的提高, 其中电芬顿反应活化羟基法的抛光效率最高可以增强196.24% 的氧化性, 提高65.59% 的抛光速率.
抛光液时间：2021-06-22点击：814
绿色环保化学机械抛光液之引言
化学机械抛光cmp主要利用化学能将原子键打开，实现原子级去除，是一种广泛认可的全局平坦化原子级加工制造方法，广泛应用于半导体、微电子和光电子产业。
抛光液时间：2021-06-21点击：1014
不同粒径硅溶胶磨料对蓝宝石CMP抛光去除机制的影响
不同粒径的纳米SiO2 磨料在蓝宝石CMP 中的材料去除是机械磨损和化学反应协同作用的结果，两者达到动态平衡时可获得较高的MRR 和表面品质，而磨料的粒径是影响两者动态平衡的重要因素。
抛光液时间：2021-06-11点击：1187
CMP抛光过程中抛光液在抛光垫表面沟槽的流动数值模拟研究
通过数值分析指出最好的CMP抛光性能是通过圆形加径向凹槽图案和高转速来实现，该研究可用于指导设计最佳的盘面沟槽，从而提高CMP抛光性能。
抛光液时间：2021-06-10点击：1865
混合型硅溶胶磨料在氧化锆陶瓷抛光液中的应用
混合型硅溶胶磨料相比传统球形硅溶胶磨料，其CMP抛光性能在蓝宝石抛光液和陶瓷抛光液中有提升显著。
抛光液时间：2021-06-09点击：1125