碳化硅抛光液的开发和应用

碳化硅(SiC)单晶材料作为第三代宽带隙半导体材料的代表，由于其具有禁带宽度大(~Si的3倍)、高热导率(~Si的3.3倍或GaAs的10倍)、高电子饱和迁移速率(~Si的2.5倍)、高击穿电场(~Si的10倍或GaAs的5倍)等突出特性，在高温、高压、高频、大功率电子器件领域和航天、军工、核能等极端环境应用领域有着不可替代的优势，弥补了传统半导体材料器件在实际应用中的缺陷，正逐渐成为功率半导体的主流。

我们团队开发了系列碳化硅晶圆（SiC Wafer）抛光液，主要包括：SC- A1901，SC-A1906，SC-AT2000，SC-A2002，SC-AT2012，SC-A1905，SC-S1903等系列碳化硅抛光液。既有碳化硅粗抛液也有碳化硅精抛液：

碳化硅粗抛光液

优点：

1. 抛光速率大于2.5μm/h；

2. 抛光表面平整光滑，无明显划伤；

3. 寿命长。

应用：不同尺寸高纯半绝缘体4H-SiC，N型4H-SiC等晶圆抛光。

碳化硅精抛液

优点：

1. 抛光表面质量好，表面粗糙度Ra<0.15μm；

2. 去除效率高，抛光速率大于1μm/h；

3. 易清洗。

应用：不同尺寸高纯半绝缘体4H-SiC，N型4H-SiC等晶圆精抛。